P
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
R
S
T
U
V
Z
pašindukcija
pašindukcija – parādība, kad mainīga kontūrā plūstoša strāva rada mainīgu magnētisko plūsmu, kas ierosina kontūrā indukcijas EDS. Pašindukcija izpaužas, ja elektriskajā ķēdē strāvu ieslēdz vai izslēdz.
paātrinājums
paātrinājums – lielums, kas raksturo ātruma maiņas straujumu, [a]
= m/s2
piesātināts tvaiks
piesātināts tvaiks – atrodas dinamiskā līdzsvara stāvoklī ar savu šķidrumu
pilnīgā iekšējā atstarošana
pilnīgā iekšējā atstarošana – notiek tad, ja krītošais stars atrodas optiski blīvākā vidē un krišanas leņķis ir lielāks nekā pilnīgās atstarošanas robežleņķis
pārvietojums
pārvietojums – vektors, kas vērsts no ķermeņa kustības sākumpunkta uz kustības beigu punktu, [s] = m
pilnā mehāniskā enerģija – sistēmas kinētiskās enerģijas un potenciālas enerģijas summa, [E] = J
potenciālā enerģija – enerģija, ko ķermenis uzkrāj kāda spēka ietekmē [Ep] = J.
potenciāls
potenciāls – lādiņa potenciālās enerģijas attiecība pret šī lādiņa lielumu [φ] = V
polarizators
polarizators – ierīce, ar kuru no dabiskās gaismas iegūst polarizētu gaismu. Kā polarizatoru var izmantot kristālus, kuros atomi izvietojušies nesimetriski (anizotropus kristālus).
pretestības termiskais koeficients
pretestības termiskais koeficients – raksturo vadītāja pretestības atkarību no temperatūras, [α] = K-1;
metāliem α > 0; pusvadītājiem α < 0
p un n vadītspēja
p un n vadītspēja – to izmanto pusvadītāju ierīcēs, jo p un n tipa pusvadītājiem piemīt dažāda vadītspēja. Caur šo pusvadītāju kontakta vietu strāva plūst tikai vienā virzienā. p - n
pārejai ir raksturīga vienvirziena vadītspēja.
p - n pārejas
p - n pārejas – vienā kristālā blakus izveidotu p tipa un n tipa pusvadītāju slāņu robežslāni (apgabalu ap robežu) sauc par p - n pāreju
punktveida gaismas avots
punktveida gaismas avots – gaismas avots, kura izmēri ir daudzkārt mazāki par attālumu no gaismas avota līdz novērotājam
pusvadītāji
pusvadītāji – vielas, kuru īpatnējā pretestība ir mazāka nekā dielektriķiem, bet lielāka nekā vadītājiem. Izmantotākie pusvadītāji ir germānijs un silīcijs.
pussabrukšanas periods
pussabrukšanas periods – laiks, kādā katras radioaktīvas vielas aktivitāte samazinās divas reizes (T)